这是一个简化过的电路，通过PMOS作为总开关，开启以后BAT_IN降压3.3V给后面的单片机供电。正常情况下，PMOS栅极不被拉低是不会导通的，BAT_IN是0V； 但是如果我通过VCC供给5V去给电池充电，PMOS就会导通，导通以后，BAT_IN是2.8V,我不知道这个2.8V是怎么来的，我也更换过PMOS型号，但是都会有这个2.8V在 而且更奇怪的是，我的线性稳压器输入是2.8V，输出却是3.3V，我也不知道为啥它会升压 我尝试过接电池充电和拔掉电池充电，BAT_IN都会有2.8V输出，不同的是，如果我接电池充电，单片机不会开机，如果不不接电池充电，单片机就会自动开机。

如图是一个三相驱动电路，实现VS1,VS2,VS3两两点之间的电流换向，设计的电源电压大约12.8V（3S倍率电池），负载电流大约16-18A左右。  我没有设计过这类电路，以前单独一个NMOS驱动一个感性负载，我知道线圈反向并联一个续流二极管就可以了，但是到了三相驱动电路，电流是可以换向的，续流二极管就没法加了，那我该怎么做？

按照手册设计的14V转5V的DCDC，空载，使用台式直流电源，上电就冒烟使用RY8121和MT2492都是这种情况 

RY9121芯片，做12V转5V降压，空载，一通电立刻1A电流，瞬间冒烟。芯片是立创商城买的，质量应该不是问题。电路布局比较随意，因为是测试板，东西比较多，单独焊接的这部分，飞线测试的。图中绿正蓝负接的飞线。

我使用单片控制驱动芯片去驱动NMOS，开关频率个位数，去驱动一个工作电流常态12A，峰值18A的电磁铁震动。MOS管型号NCEP023N10LL，寄生电容典型值15000pF现在测得：在关断瞬间，电磁铁负极产生感应电动势大约40V，持续时间500ns，同时我的MOS管栅极产生- 4V的负电压.我无法消除，求助。

我使用单片机驱动电磁铁，电源是7.4V倍率电池，LDO降压给单片机供电，DCDC升压给驱动芯片供电，保证栅极驱动电压12V。 负载的电磁铁也加了续流二极管。MOS管过流能力很强，过去测试时也不发热。这个电路使用了一周后，驱动芯片炸了，我想不明白为什么，我也不知道遇到这类问题如何着手测试。我这个就是控制电磁铁哒哒哒往复运动，所以并没有找到同类的开源设计，看了下网友们的设计基本上驱动的都是电机，电流比较小，而且都上了H桥，不太能参考。想拜托大家给些建议：（1）入手的测试方向（2）电路设计有无瑕疵（3）有无类似设计可供参考，想学习一下

想给产品做长按3秒开机，长按3秒关机，之前一直买的成品芯片，只能支持3-6V输入，局限比较大，后来和嘉立创群友们一起讨论， 完成了这一套方案，可以支持4-20V输入电压的长按开关机电压解决方案，感谢兄弟们的帮助 （1）开机之前 按下瞬间，开关拉低PMOS栅极，PMOS导通开机 3秒内松手自动关机 （2）开机结束 开机时按住3秒后，单片机拉低PMOS栅极，指示灯亮 此时松手可保持开机状态 （3）关机 开机后按住3秒，单片机放开PMOS栅极，灭灯，程序停止运行 此时松手，真正关机 （4）D1作用 由于某些单片机的GPIO默认不是高阻态，所以设置D1防止漏电流 （5）D2作用 由于D2存在，PG为低时，switch_check不会被拉低， 所以当机械开关断开（3秒开机后松手）时 单片机可以读取到上拉的3V3 #嵌入式设计# #电子电路#

一、问题 如图是一个卧贴Type-C底座，它有2对定位插脚 实际尺寸分别是【前脚 ：0.8-0.24mm，后脚1.1-0.24mm】 规格书给的PCB封装焊盘内径分别是【前脚 ：1.4-0.6mm，后脚1.7-0.6mm】 我按照规格书给的尺寸画的封装，送到代工厂（非立创）生产，结果生产100片板子有38个Type-C贴歪了，代工厂回复说是我封装孔径开太大导致的 二、求解决 可是这个手册给的封装，并且我从淘宝购买了类似带有Type-C的模块，发现他们的产品焊盘内径也比实际尺寸大很多，所以我想求证一下 ① 是不是我找的这家代工厂水平不行？ ② 如果我希望通过缩小焊盘内径来避免实际生产过程中产生器件贴歪的情况，我最小可以把内径开到多小？开的过小会不会反过来导致SMT过程中元器件贴不进去之类的故障？ 比方说一个实物长0.8mm，宽0.3mm的针脚（公差0.05mm），我按照长0.9mm，宽0.4mm绘制是不是可以正常生产？