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🧧【春节公告】积分抽奖奖品发放调整通知
🧧【春节公告】积分抽奖奖品发放调整通知 亲爱的嘉立创社区用户： 新春佳节将至，为配合春节假期安排，“积分抽奖”活动实物及虚拟奖品的发放将于以下时段暂停： 2026年2月6日 – 2月24日，暂停实物礼品邮寄、京东E卡等虚拟权益发放。 暂停期间您仍可正常参与抽奖并完善您的收货信息，所有中奖记录我们将统一留存登记，奖品将于 2月25日起按顺序陆续补发，权益不会失效~ 感谢大家的理解与支持，提前祝您和家人： 新春快乐，马年大吉！ 阖家团圆，万事顺意！🏮 #社区公告# #春节快乐#
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写错啦：2026年2月6日 咋还25年呢
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【元器件规范共建召集令】诚邀行业专家，定义行业规范新基准
当你在电子元器件选型时，是否因参数定义模糊反复试错？当你推进研发项目时，是否因标准不统一延误进度？如今，有一个能改变行业现状、为电子产业发展注入新动能的机会 —— 加入立创商城电子元器件规范共建项目，与更多行业专家携手，打造科学、完善、权威的元器件参数规范体系！立创商城深耕电子元器件电商领域多年，深知统一精准的参数规范对行业上下游的重要性。我们正启动一项开创性工程，现面向全国电子元器件行业规范制定人、电子行业从业者、电子专业教育从业者、资深领域电子爱好者等群体招募 20-50 名细分领域专家，涵盖接口芯片、时钟和定时、射频无线、传感器等 9 大核心方向，邀你成为这场 “规范革命” 的 “执笔人”。1、你将参与的核心领域（涵盖9大方向）接口芯片USB、PCIe、CAN芯片等接口芯片的设计关注核心参数范围划定及其参数名词解释时钟和定时晶振、定时器、时钟发生器等震荡器的设计关注核心参数范围划定及其参数名词解释射频无线RF芯片、天线模块、无线收发器等无线射频相关器件的的设计关注核心参数范围划定及其参数名词解释传感器温度、压力、光电等传感器的设计关注核心参数范围划定及其参数名词解释功能模块电源管理、信号调理模块等电子模块的设计关注核心参数范围划定及其参数名词解释物联网/通信模块5G、WiFi、蓝牙模块等无线通讯模块的设计关注核心参数范围划定及其参数名词解释单片机/微控制器ST、TI、STC等单片机器件的设计关注核心参数范围划定及其参数名词解释逻辑器件和数据转换ADC/DAC、逻辑门等与信号转换和数据转换相关的设计关注核心参数范围划定及其参数名词解释显示屏器件OLED、LCD等显示屏的设计关注核心参数范围划定及其参数名词解释 2、你的角色：从技术实践者到标准制定者评审与优化：针对公司内部团队起草的规范初稿（如参数定义、填写规范、案例模板），以专业视角审核逻辑严谨性，提出修改建议（例如隔离电压、CMTI等参数的单位换算、优先级规则）；深度参与：基于实操经验，为芯片引脚定义、数据速率计算、温度范围界定等参数提供行业实践案例，确保规范兼具理论准确性与工程可行性；成果共创：与跨领域专家协作，构建类似“电子元器件维基百科”的公开规范网站，让技术标准真正服务行业生态。3、我们为你提供的四大价值回报「行业署名权」：每一份经你评审修改的规范，均将在最终版本中明确标注你的姓名与单位，成为个人技术生涯的权威背书；「品牌曝光度」：规范公开时，参与评审与编撰的专家名单将同步公示，通过公司官方渠道（行业媒体、技术社区）定向推送，提升行业影响力；「知识共享平台」：加入电子元器件规范维基网站建设，你的技术见解将被全球工程师查阅引用，成为领域内的“隐形标准制定者”；「多样激励体系」：任务制，每次任务均有丰厚报酬奖励，根据审核规范复杂度与贡献度可获取，包括且不限于京东E卡/采购晶/优惠券/实物奖励等，多劳多得激励形式：1、积分制每次任务，每人均可获得积分，根据每人贡献程度获得对应积分贡献程度人数获得积分皇冠125黄金315白银610青铜105 2、积分可兑换礼品积分数兑换礼品价值550E卡或50采购晶50元10100元E卡或100元采购晶100元20200元E卡或200元采购晶200元50500元E卡或500元采购晶500元1001000元E卡或1000元采购晶1000元2002000元E卡或2000元采购晶2000元 4、为什么工程师值得加入？技术价值升华：从“用标准”到“定标准”，让你的经验成为行业参照坐标； 资源链接机遇：与芯片原厂、方案商专家深度交流，拓展技术人脉圈； 职业发展加分：参与行业级规范制定的经历，是技术管理岗晋升的硬核背书。5、报名方式如果您在上述领域拥有多年以上研发/设计经验，或主导过元器件选型与参数验证项目，欢迎将个人简历（附技术专长说明）发送至：，邮件主题注明“【规范专家报名】+领域方向”。我们将在3个工作日内与您联系，共商规范共建蓝图。 电子元器件的每一个参数，都承载着工程师的智慧。现在，你就有机会成为定义行业规范的 “少数派”，让全球工程师使用你参与制定的标准。这不仅是一次技术实践，更是一段能为行业留下深刻印记、为职业增添高光的宝贵经历。立创商城期待与你携手，重塑元器件参数规范行业标杆，让你的技术印记，刻进行业未来！ 注：“本次共建采用灵活协作模式，单次任务预计耗时2~4小时，全程线上进行，不影响日常工作。”
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复刻的开源项目的PCB检测出DRC报错是啥原因
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求购捆扎打包机程序，stc8h+stc32
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好像有一台3D打印机啊。。。 #嘉立创3D打印#
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开源广场升级维护问题。 开源广场啥时候能重新开放？
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立创开源平台升级维护 连续签到是不是就要断啦[哭笑]
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3d打印的娃娃模型 表面很光滑，精度高，有质感[强]
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咋打不开开源广场今天
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是否可以做罗杰斯4350的多层板？
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倾佳杨茜-方案实践：对SiC模块和单管进行LLC最优参数条件调教基本半导体（BASiC Semiconductor）大量出货多款碳化硅（SiC）MOSFET 模块（如1200V/540A的 BMF540R12KHA3）及单管（如1200V/223A的 B3M011C120Z）的给电力电子客户带来了更多选择，将这些高性能器件应用于 LLC 谐振变换器 时，其参数调教逻辑与传统的硅基（Si）SJ-MOSFET 或 IGBT 有着本质的区别。LLC 拓扑的原边工作特性为：开通是零电压开通（ZVS），关断是带有励磁电流的硬关断。结合基本半导体（BASiC Semiconductor）多款碳化硅（SiC）MOSFET 模块和单管的核心数据，以下是进行 LLC 最优参数调教的工程实践指南：编辑搜图倾佳电子力推BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET功率模块，SiC模块驱动板，PEBB电力电子积木，Power Stack功率套件等全栈电力电子解决方案。倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！一、 谐振腔参数（Lm​）与死区时间（tdead​）的极限协同这是 SiC 在 LLC 应用中最核心、也最容易影响整机效率的调教环节。1. 痛点：极致压缩死区时间 tdead​（对抗极高 VSD​）规格书寻迹：查阅体二极管（Body Diode）特性，SiC MOSFET 的正向压降 VSD​ 极高。在 VGS​=−5V 时，单管（如B3M011C120Z）的 VSD​ 典型值为 4.0V，而大功率模块（如BMF540R12KHA3）甚至高达 5.11V。工程调教：在 LLC 的死区时间内，维持 ZVS 换流的电流会流过体二极管。如果死区时间设置过长（如传统硅管的 300ns500ns），高达 45V 的压降会产生巨大的导通发热损耗（Pdead​=2×VSD​⋅Im​⋅tdead​⋅fsw​）。实践动作：必须将死区时间压缩到极限。由于 SiC 极小的电容充放电极快，死区时间通常可压缩至 50ns ~ 150ns。在满载调试时，用示波器双探头观察半桥中点 VSW​ 和下管驱动 VGS​：最佳状态是 VSW​ 刚刚谐振跌落至 0V 的瞬间，VGS​ 刚好越过阈值开启。强烈建议在数字控制中引入自适应死区时间（Adaptive Dead-time）算法。2. 优势：最大化励磁电感 Lm​（降低原边环流）规格书寻迹：SiC 的输出电容储能 Eoss​ 极小，例如 B3M011C120Z 在 800V 下的 Eoss​ 仅为 106 µJ。工程调教：LLC 实现原边 ZVS 的物理门槛是励磁能量必须大于节点寄生电容的能量（21​Lm​Im(peak)2​≥2Eoss​）。因为 Eoss​ 呈数量级下降，我们需要用来抽电荷的励磁电流 Im(peak)​ 可以变得很小。实践动作：在变压器设计时，在满足 ZVS 的前提下尽可能增大励磁电感 Lm​ （电感比 m=Lm​/Lr​ 在 SiC 设计中常推高至 7 ~ 12）。增大的 Lm​ 会显著减小原边的无功环流，从而将 SiC MOSFET 极低 RDS(on)​（如单管的 11mΩ）的导通损耗优势发挥到极致，同时大幅降低变压器原边铜损。二、 门极驱动（Gate Drive）的非对称精准配置LLC 原边开关特性决定了驱动电阻必须进行非对称设计（从规格书的测试条件即可看出，如 RG(on)​=5.1Ω, RG(off)​=1.8Ω）。1. 开通电阻 RG(on)​：适当偏大（抑制 EMI 与振铃）逻辑：LLC 原边为 ZVS 开通，开通损耗 Eon​ 本身趋近于零，开关速度再快也不会降低开通损耗。实践：适当放大 RG(on)​（例如取 5Ω ~ 15Ω），可以减缓开通瞬态的 di/dt 和 dv/dt，有效降低桥臂中点的高频振铃，改善 EMI，并降低桥臂对侧管因为米勒效应引发的误导通风险。2. 关断电阻 RG(off)​：尽可能极小（强压关断损耗）逻辑：LLC 原边关断时切断的是励磁电流（带载时还叠加部分负载电流），属于硬关断。查阅规格书 Switching Energy vs. External Gate Resistance 曲线，关断损耗 Eoff​ 随 RG​ 的增大而陡峭上升。实践：RG(off)​ 应设置得尽可能小（例如 1Ω ~ 2Ω），以最快速度抽取门极电荷，斩断关断时的拖尾电流。3. 强制使用负压关断（-4V / -5V）逻辑：规格书指出在 175∘C 高温下，阈值电压 VGS(th)​ 会产生负温度系数漂移，降至 1.9V 左右。在极高的 dv/dt 瞬态下，位移电流通过 Crss​ 极易抬高栅压。实践：严禁使用 0V 关断，必须严格按照规格书推荐，配置稳定的 +18V / -5V（或 -4V）驱动电压，保障可靠性。三、 封装特性的极致利用与 Layout1. Kelvin Source（开尔文源极）的绝对分离规格书寻迹：您提供的单管均采用 TO-247-4（Pin 3为 Kelvin Source），模块也具备辅助驱动源极引脚。实践动作：在高速硬关断 Eoff​ 期间，di/dt 极大。主功率回路在源极寄生电感 Ls​ 上产生的压降（L​⋅di/dt）会严重抵消驱动负压。驱动芯片的 GND 必须独立且直接地拉线至 Kelvin Source 引脚，若与大电流回路共用，会导致关断变慢，损耗失控。2. 高频吸收（Decoupling/Snubber）虽然模块内部寄生电感极低（Lσ​≤30nH），但在大功率 LLC 满载关断时，外部母排的寄生电感仍会激发出极高的电压尖峰。高频 CBB 吸收电容必须直接锁附/紧贴在模块的 DC+ 和 DC- 端子上。四、 容性区（Capacitive Mode）免疫力的利用传统硅管痛点：LLC 在启动、输出短路或负载阶跃偏离谐振点时，易短暂掉入容性区（失去 ZVS，硬开通）。传统 Si MOSFET 的 Qrr​ 极大（毫库仑级别），体二极管在硬恢复时极易造成桥臂直通炸机。SiC 优势：查阅规格书，SiC 的 Qrr​ 极小（单管如 B3M010C075Z 仅为 460 nC）。调教红利：这意味着 SiC MOSFET 对 LLC 容性区硬开通具有极强的免疫力。在 DSP 控制算法调教时，防容性区保护（Anti-Capacitive Mode Protection）的频率钳制和判定阈值可以大幅放宽。这让电源在面对恶劣电网波动或极端动态负载时，不会轻易触发停机保护，极大提升了系统的动态响应能力和鲁棒性。实机调教 Step-by-Step基础设定：推高 Lm​；驱动设为 +18V/−5V；RG(on)​=10Ω，RG(off)​=1.5Ω。死区试探：上电时死区时间预设为 250ns。死区压缩：在半载和满载下，用示波器盯住 VDS​ 下降沿与 VGS​ 上升沿，逐步将死区时间缩短至 80ns~120ns 左右，吃干榨净 VSD​ 损耗。温升复核：满载拷机，根据规格书中 RDS(on)​ 的高温漂移曲线（175∘C 下阻值约是常温的 1.6 倍），反算壳温是否符合预期。
倾佳杨茜-方案实践：对SiC模块和单管进行LLC最优参数条件调教
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希望嘉立创越来越好.但是我眼下我嘉立创挂了
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一直报保存失败，连不上，我还没保存啊
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不是，怎么进不去啊？ 崩溃了？
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