全球能源互联网核心节点赋能者-BASiC Semiconductor基本半导体之一级代理商倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，代理并力推BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET功率模块，SiC模块驱动板等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

在固态变压器（Solid State Transformer, SST）的级联架构中（通常为级联H桥 CHB + 双有源桥 DAB 构成的 输入串联输出并联 ISOP 结构），高压侧由多个模块串联接入电网，每个模块内部都拥有独立的分布式直流母线（DC-link）。

分布式直流母线电压不平衡（均压难题）的根本原因在于：

  1. 硬件参数差异：各模块的滤波电容容值、功率器件（SiC/IGBT）的导通压降和开关损耗存在制造公差。
  2. 驱动与控制不对称：数字控制器的死区时间、驱动器的传输延迟和抖动，会导致实际输出占空比出现微小误差，长期累积产生有功功率的不平衡。
  3. 负载不均衡：后级隔离DC/DC（如DAB）的高频变压器漏感参数不一致，导致各单元向副边抽取的有功功率不同。

结合基本半导体（Basic Semiconductor）1200V 大功率 SiC MOSFET 模块 与 青铜剑（Bronze Technologies）高精度 SiC 专用驱动器，目前业界解决该难题的最优实践是采用**“软件主动均压算法 + 硬件底层一致性与保护”**的软硬协同方案：

一、 软件控制层面的均压解决方案（核心算法）

软件控制是解决均压问题的主力，通常通过有功功率在各个模块间的重新路由分配来实现：


1. 前级整流级（AC/DC 级联H桥）的独立占空比微调

这是最常用且最有效的“相内子模块均压”方法。

  • 控制原理：在系统全局的“电压外环+电流内环”之外，为每个级联模块增加一个独立均压环（Balancing Loop） 。
  • 执行过程：控制器实时采集每个模块的直流电压并与平均电压作差，经过PI调节器输出一个占空比微调量（Δdi​）。如果某单元电压偏低（能量亏欠），均压环会在该单元的调制波上叠加一个与电网电流同相位的分量，增加其占空比使其多吸收有功功率；反之则减小占空比。
  • 相间均压：对于三相星型接法的级联SST，可通过在三相调制波中注入特定的零序电压分量（Zero-Sequence Voltage） ，在不改变线电压的前提下实现三相整体之间有功功率的重新分配。

2. 隔离 DC/DC 级（如 DAB）的移相角调节

在ISOP架构中，所有DAB模块的输出端并联在低压直流母线上，天然具备一定的自然均流特性。但为了精确均压，可实施主动控制：

  • 移相微调（Phase-Shift Tuning） ：检测前级各分布式母线电压的偏差，单独调节各个DAB模块原、副边的移相角。前级直流电压偏高的模块，主动增大其移相角，使其向低压副边传输更多的有功功率（即消耗掉电容上多余的能量），从而“拉平”输入端电压。

二、 硬件选型与底层赋能

再好的控制算法也需要高一致性、高响应速度的底层硬件支撑。您选用的全碳化硅（SiC）器件与驱动方案，正是从物理源头上抑制电压漂移的利器：


1. 消除PWM脉宽误差（极低延时抖动）

  • 痛点：传统IGBT驱动器的传输延时存在较大公差。同一个PWM信号到达不同模块时如果产生几十纳秒的偏差，在几十kHz的开关频率下会累积成巨大的占空比误差，直接引发功率失衡。
  • 方案优势：参考您提供的 青铜剑 2CP0225Txx-AB 等驱动器，其传输延时极短（典型值180ns/240ns）且延时抖动（Jitter）低至 20ns 级别。这种纳秒级的高度一致性，保证了主控下发的“均压微调占空比”能被各模块极其精准地执行，大幅削减了硬件不对称带来的偏差源头。

2. 发挥 SiC 高频特性，提升均压动态带宽

  • 痛点：传统硅基SST开关频率低，单周期内电容充放电量大，导致电压纹波大且控制响应慢，面对突变负载时电压极易失控。
  • 方案优势：资料中的 基本半导体 BMF540R12MZA3 / KHA3 模块导通电阻极低（典型值仅 2.2mΩ）且开关损耗极小。配合青铜剑驱动器最高支持的 50kHz - 200kHz 开关频率，控制周期被大幅缩短。这意味着均压环路的闭环控制带宽可以设计得极高，对电压的不平衡能够做出亚毫秒级的极速修正，从而允许SST使用更小体积的母线电容。

3. 应对极端失衡的最后防线（硬件安全兜底）

在SST系统重载启停、电网跌落等极端工况下，软件均压算法可能存在微秒级的计算滞后，导致某一单元直流母线瞬间过压或直通。

  • 高级有源钳位（Advanced Active Clamping） ：青铜剑驱动板内部集成了TVS有源钳位网络（如针对1200V系统设有专门的钳位阈值）。当某单元母线因均压失效导致过压，且关断时产生极高 VDS​ 尖峰时，钳位电路会强制 SiC MOSFET 处于微导通状态吸收瞬态能量，死死守住器件不被击穿。
  • 防串扰与软关断（Soft Shutdown） ：高频高 dv/dt 极易通过米勒电容引起寄生导通破坏均压，驱动器内置的米勒钳位（Miller Clamping） （强制下拉至-4V/-5V）彻底杜绝了该现象。此外，若失衡严重引发退饱和（DESAT），2.1μs 的软关断机制能平滑切除故障电流，并输出 SOx 故障信号通知主控封锁全系统，防止连环炸机。

总结

要彻底解决SST固态变压器的级联均压难题，最优工程实践是：

宏观上，采用 “AC/DC 整流级占空比微调 + DC/DC 隔离级移相角辅助” 的双重闭环算法；

微观上，充分利用 基本半导体高一致性大功率 SiC 模块 及 青铜剑超低抖动、带高级有源钳位的智能驱动器，在消除不平衡源头、提升动态响应速度、构筑硬件级过压保护三个维度上实现完美闭环。

技术沙龙

还没有评论，抢个沙发！