一篇带你搞懂米勒平台

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在 MOS 管的实际开关过程中，栅源电压VGS的波形往往会出现一段 “停滞期”—— 即电压上升到一定值后不再随驱动信号增加，反而保持相对稳定，这一现象被称为 “米勒平台”（Miller Plateau）。它是由MOS管的寄生电容特性引起的关键动态过程，直接影响开关速度、损耗和可靠性，是功率电子电路设计中必须关注的核心问题。

米勒平台的本质是栅漏电容CGD的充放电电流对驱动电流的 “分流作用”，具体过程可分为三个阶段（以N沟道MOS管导通为例）我们以下面的图为案例为大家讲解：

在 MOS 管的实际开关过程中，栅源电压VGS的波形往往会出现一段 “停滞期”—— 即电压上升到一定值后不再随驱动信号增加，反而保持相对稳定，这一现象被称为 “米勒平台”（Miller Plateau）。它是由MOS管的寄生电容特性引起的关键动态过程，直接影响开关速度、损耗和可靠性，是功率电子电路设计中必须关注的核心问题。

米勒平台的本质是栅漏电容CGD的充放电电流对驱动电流的 “分流作用”，具体过程可分为三个阶段（以N沟道MOS管导通为例）我们以下面的图为案例为大家讲解：

在 MOS 管的实际开关过程中，栅源电压VGS的波形往往会出现一段 “停滞期”—— 即电压上升到一定值后不再随驱动信号增加，反而保持相对稳定，这一现象被称为 “米勒平台”（Miller Plateau）。它是由MOS管的寄生电容特性引起的关键动态过程，直接影响开关速度、损耗和可靠性，是功率电子电路设计中必须关注的核心问题。

米勒平台的本质是栅漏电容CGD的充放电电流对驱动电流的 “分流作用”，具体过程可分为三个阶段（以N沟道MOS管导通为例）我们以下面的图为案例为大家讲解：