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我使用单片机驱动电磁铁，电源是7.4V倍率电池，LDO降压给单片机供电，DCDC升压给驱动芯片供电，保证栅极驱动电压12V。 负载的电磁铁也加了续流二极管。MOS管过流能力很强，过去测试时也不发热。
这个电路使用了一周后，驱动芯片炸了，我想不明白为什么，我也不知道遇到这类问题如何着手测试。

我这个就是控制电磁铁哒哒哒往复运动，所以并没有找到同类的开源设计，看了下网友们的设计基本上驱动的都是电机，电流比较小，而且都上了H桥，不太能参考。
想拜托大家给些建议：

（1）入手的测试方向
（2）电路设计有无瑕疵
（3）有无类似设计可供参考，想学习一下

已尝试解决的方法及结果
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阿勇
2025-05-14 10:10:58 来自广东
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1、升压芯片工作效率一般都很低，标称2A，实际压根没有，特别是国产电源芯片，况且你这压差还比较大，EG驱动芯片在开通、关闭MOS管的时候电流都比较大，很可能是升压芯片带不动EG驱动芯片，导致EG芯片工作的时候供电电压尖端毛刺太多、太大，损坏EG芯片。可以用示波器看一下12V的毛刺电压多少； 2、12.6V电路的滤波电容太小了，才22uf，EG芯片工作电流大，至少也得220uF以上吧； 3、SOT23-6封装的电源芯片，我一般负载电流都不会超过300mA，压差大了，直接冒烟，亲测！
暮雨笙 作者
2025-05-14 10:32:17 来自江苏
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谢谢建议，我先用示波器捅一下电源看看有无毛刺吧。 但是我还有一个疑问，就是我供电不足，应该是驱动能力不够吧，MOS管不完全导通或者开启时间增大，导致MOS发热才对，为什么ED芯片会炸？（栅极驱动引脚对地短路，但是MOS栅极并未并未短路）
阿勇
2025-05-14 10:52:50 来自广东
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电源芯片电流输出不够，电源芯片输出电压就会稳不住，超出EG芯片最大承受电压能力，你这个电路没必要升压，7.4V够驱动大多数大功率MOS管，况且你这频率好低，都没达到KHz级别
暮雨笙 作者
2025-05-14 11:28:54 来自江苏
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不完全导通不会发热炸管么
阿勇
2025-05-14 16:42:30 来自广东
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7.4V够了，一般5V都可以完全导通了，现在的MOS管可不是以前那样，非要12V以上，现在国产的MOS管工艺都很牛掰了
暮雨笙 作者
2025-05-14 18:31:23 来自江苏
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(⊙o⊙)…
someone
2025-06-29 23:22:32 来自广东
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1.并联的mosfet不能直接栅极相连接，需要有个各自独立的驱动电阻。 2.mosfet栅极需要增加门极电容，并联在GS之间。容值可以先选择1nF，测试再进行调试； 3.关断回路的二极管需要串联电阻，防止关断电流过大，烧坏驱动芯片； 4.驱动芯片附近的电路端口增加uF电容，开通瞬间能够提供能量； 5.mosfet漏极上增加吸收电容，建议100V/ 2.2uf的MLCC。
暮雨笙 作者
2025-05-15 22:04:00 来自江苏
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测试了很多东西，重新开了一个帖子，这个帖子就结了吧。
暮雨笙 作者
2025-05-14 18:29:46 来自江苏
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最新测试结果，感觉也不像是振铃，有这样的振铃么？
阿勇
2025-05-15 09:58:55 来自广东
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波形很不稳定，建议你还是换掉升压芯片，电池的容量也要加大，电池容量越大，瞬间放电能力也强，才能减少电机对电源波动影响！
暮雨笙 作者
2025-05-15 21:34:57 来自江苏
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升压芯片扔掉了，现在是电池直接给驱动芯片供电。 我测了电磁铁负极，发现反向电动势非常大，我先后尝试了给电磁铁并联电容，RC电路和TVS二极管，均不能有效解决。我现在很难受。。
阿勇
2025-05-15 23:07:58 来自广东
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你这个电磁铁储能非常大啊，是要想办法解决这个问题，电流太大了，MOS管开通、关闭瞬间对电源干扰很大
修地球的
2025-05-14 11:00:16 来自广东
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VBAT和+12V多加一点滤波电容。M+和M-加RC尖峰吸收电路。
暮雨笙 作者
2025-05-14 12:19:26 来自江苏
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这个电容，和RC电路，有设计准则么，公式之类的？ 我没弄过，不知道怎么加
阿勇
2025-05-14 16:44:00 来自广东
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找找RCD吸收电路资料就好了，网上一大把，有视频、文章讲解
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