详情描述
我使用单片控制驱动芯片去驱动NMOS，开关频率个位数，去驱动一个工作电流常态12A，峰值18A的电磁铁震动。
MOS管型号NCEP023N10LL，寄生电容典型值15000pF

现在测得：在关断瞬间，电磁铁负极产生感应电动势大约40V，持续时间500ns，同时我的MOS管栅极产生- 4V的负电压.
我无法消除，求助。






已尝试解决的方法及结果
（1）更换续流二极管
我原本使用3个过流能力10A的肖特基二极管做续流二极管SB10100L，改为3个过流能力20A的肖特基SB2080L
结果：感应电动势增加到了56V，但是持续时间从500ns削减到100ns

（2）电磁铁并联电容
电磁铁并联了4个22UF电容
结果：效果不大，感应电动势削减了大约5V

（3）RC吸收
RC串联以后和MOS管并联，R取值3.4R，C取值1UF的时候效果最好
结果：感应电动势42V，栅极负电压-2V。 之后尝试各种组合均不理想。

（4）TVS二极管
选取14V 的TVS二极管SMF14A，钳位在电磁铁负极和PGND之间。
结果：丝毫不起作用，反向电动势还是40V以上

（5）MOS管栅极加电容
增加一颗10nF的电容在MOS管栅极和PGND之间
结果：栅极负电压从- 4V变到- 6V




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2025-05-15 23:30:34 来自黑龙江
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你的负压来源于 D12，控制开关频率越高 负电压就高，如果你在这个D12正极对GND 加电容，电压更会高，D12主要作用是快速关断MOS管，主要有这个管，就会有负压！ 电磁铁2端 增加更大吸收电流的快恢复二极管是正确的！（对G的负压不会起到作用）希望我的小小提示，对你有帮助！
暮雨笙 作者
2025-05-16 00:13:31 来自江苏
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谢谢！ 因为驱动芯片手册里有这个二极管，我就加了，一直觉得快速关断没有坏处，没想到会因为这个，我明天拆掉试试看。
阿勇
2025-05-15 23:59:52 来自广东
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https://blog.csdn.net/weixin_45546800/article/details/140989031 https://blog.csdn.net/qq_32348883/article/details/135972304 常见的就上面4种方法，你这个电路里面的感性负载元件电流确实有点大，储能太多了，我的建议有3点： 1、实际测量一下感性负载的感值、阻抗，计算并调试一下合适的RCD值，看看能不能达到比较理想的状态； 2、感性负载串联电阻，降低实际使用电流，看看能不能用； 3、增大EG驱动芯片和NMOS栅极间的电阻，让MOS管缓慢开、关，用MOS管的发热来抵消开关瞬间的整个电路电压、电流不稳定。
暮雨笙 作者
2025-05-16 00:16:22 来自江苏
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谢谢，第二点就不试了。 关于1：有没有推荐的测试电感的设备？ 以前淘宝几十块卖的LC表，感觉不准。 今天测了一下，数据一直跳来跳去。 关于3：经验值10-30R，所以我一直没尝试去更换，现在看起来，开关慢一些也没什么大碍，因为我也不是做PWM调速。 明天都试试。
暮雨笙 作者
2025-05-16 11:03:40 来自江苏
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兄弟，我不太会玩社区，昨天你给的建议我试了，有用，感谢。 我不知道把你设为最佳答案，是不是悬赏的积分就归你了。
暮雨笙 作者
2025-05-16 10:56:43 来自江苏
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原贴好像无法编辑，问题已解决感谢@阿勇 （1）拆掉栅极的泄放二极管 结果：栅极负电压从-4V上升到-0.5V，反向电动势从50V下降到28V （2）继续，将栅极电阻增大至100R 结果：MOS开关时间增大，但是反向电动势继续下降到20V，电磁铁的震荡也消失了 因为我开关频率极低，所以增加一点导通时间应该不太会导致发热 （3）下一步准备在电源两端增加一些薄膜电容 暂无材料 思考： （1）栅极负电压来源于栅极反向并联的二极管，用于快速关断，但是我的电路开关频率20Hz不到，所以没必要，至于为什么会会这样，我还没搞明白 （2）我一开始以为栅极震荡是电磁铁震荡通过MOS管耦合到栅极，现在更改了栅极部分的电路，电磁铁的感应电动势反而大大改善。 难道电磁铁的震荡除了自身的电磁感应，还受到MOS管栅极的影响么？ 这个问题我仍然没想明白
阿勇
2025-05-16 12:12:18 来自广东
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不是受到栅极影响，是你的栅极电路是按照EG芯片标准电路去做的，正常这个标准电路驱动的MOS管开关频率都是KHz级别（阻性负载），但你这个是感性负载，负载又大，过快的给栅极充放电，就等于快速的给感性负载开关，感性负载开关太快，它的漏极源极du/dt变化就越明显，就是dt越小，du就越大，你慢一点开关，dt增大，那对应的du（电压变化）就越小（50V变20V）。 我15年前刚毕业的时候，在一家公司做过高频感应加热机器设计，那时候对MOS管驱动有过一段时间研究，那种机器MOS管（IGBT）开关电流更大，频率都是KHz级别，甚至更高，吸收电路匹配不好，炸管是常有的事！哈哈 那时候一个1200V 600A的IGBT经常炸。。。
暮雨笙 作者
2025-05-16 13:55:16 来自江苏
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谢谢前辈，以后有问题多指教。 我才入行4年，4年前点灯都不会，哈哈哈... 不过我还有个小问题，这个EG芯片是驱动H桥用的，H桥又是专门负责电机驱动的，无刷电机这种，不也是感性负载么，我看了很多别人做的电路，虽然芯片用的不是这款，但是也都没做隔离，那他们是怎么应对我遇到的这种问题的呢？ 我前天才开始学习RC吸收电路，但是我自己测试了很多组合，都没有消除我这次遇见的问题。
Vcore
2025-05-16 01:52:23 来自湖南
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