详情描述
我使用单片控制驱动芯片去驱动NMOS，开关频率个位数，去驱动一个工作电流常态12A，峰值18A的电磁铁震动。
MOS管型号NCEP023N10LL，寄生电容典型值15000pF

现在测得：在关断瞬间，电磁铁负极产生感应电动势大约40V，持续时间500ns，同时我的MOS管栅极产生- 4V的负电压.
我无法消除，求助。






已尝试解决的方法及结果
（1）更换续流二极管
我原本使用3个过流能力10A的肖特基二极管做续流二极管SB10100L，改为3个过流能力20A的肖特基SB2080L
结果：感应电动势增加到了56V，但是持续时间从500ns削减到100ns

（2）电磁铁并联电容
电磁铁并联了4个22UF电容
结果：效果不大，感应电动势削减了大约5V

（3）RC吸收
RC串联以后和MOS管并联，R取值3.4R，C取值1UF的时候效果最好
结果：感应电动势42V，栅极负电压-2V。 之后尝试各种组合均不理想。

（4）TVS二极管
选取14V 的TVS二极管SMF14A，钳位在电磁铁负极和PGND之间。
结果：丝毫不起作用，反向电动势还是40V以上

（5）MOS管栅极加电容
增加一颗10nF的电容在MOS管栅极和PGND之间
结果：栅极负电压从- 4V变到- 6V




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