倾佳电子西安办事处:力推基本半导体全系列SiC产品,赋能北方区电力电子产业新未来

1.0 引言:倾佳电子西安办事处,精准服务中国“新电源”心脏地带

在国家“双碳”目标引领与能源结构转型的浪潮下,中国电力电子产业正迎来前所未有的发展机遇。作为国家能源战略的重要承载区,中国北方区(北方区)凭借其在风力发电、光伏储能、高端装备制造以及重工业绿色升级等领域的庞大产业集群,已成为中国“新电源”技术创新的心脏地带。




为应对这一历史性机遇,倾佳电子(Changer Electronics)在西安成立其北方区办事处。此举不仅是倾佳电子全国战略布局的关键一步,更是一项意义深远的承诺:将全球最前沿的第三代半导体技术与最高效、最本地化的技术支持服务相结合,零距离赋能北方区电力电子客户。

倾佳电子西安办事处的成立,旨在从根本上转变传统的元器件供应模式,升级为针对客户具体应用的深度技术合作伙伴。对于所有致力于开发下一代储能变流器(PCS)、电能质量(APF)、风电变流器、固态变压器(SST)以及大功率充电桩电源模块的创新企业而言,倾佳电子西安办事处将成为其获取顶级半导体解决方案、缩短研发周期、抢占市场先机的核心枢纽。而这一承诺的坚实后盾,正是来自中国碳化硅(SiC)功率器件的领军企业——深圳基本半导体有限公司(BASiC Semiconductor)的全系列产品生态。

2.0 强强联合:立足全球顶尖技术,服务本土创新需求

倾佳电子的本地化市场洞察与服务能力,现已与中国最强大的SiC技术源头之一实现战略协同。深圳基本半导体有限公司(以下简称“基本半导体”)不仅是供应商,更是中国在第三代半导体领域实现自主创新的国家级专精特新“小巨人”企业 。

源自顶尖科研的深厚底蕴

基本半导体的技术领导力源于其创始团队的深厚科研背景。公司由清华大学及剑桥大学的电力电子博士团队领衔创立 ,确保了其在器件物理、材料科学、封装工艺和应用拓扑方面始终保持“第一性原理”的深刻理解和持续创新能力。

历经严苛验证的“转移可靠性”

基本半导体的技术实力不仅停留在实验室,更赢得了全球最严苛工业巨头的信任。其股东及战略合作伙伴阵容堪称豪华,包括:

  • 全球汽车技术与工业应用的领导者。
  • 全球轨道交通装备的绝对龙头。
  • 中国主流新能源汽车的核心主机厂之一 。

这不仅是企业实力的背书,更是一种“技术转移可靠性”的直观体现。基本半导体的SiC功率模块已经在中国主流800V甚至准900V高端电动车型上实现大批量装车应用 ,并通过了轨道交通级别的高振动、高可靠性、长寿命的严苛考验。这项已在恶劣的车规和轨交环境中被充分验证的可靠性,为应用于储能、风电、电能质量等工业场景时,提供了无与伦比的性能冗余和长期运行保障。

全球布局,本土深耕

基本半导体构建了全球化的产业布局,包括深圳总部的6英寸碳化硅晶圆制造基地、无锡的车规级功率模块封测基地以及日本名古屋的研发中心等 。倾佳电子西安办事处,正是将这一全球化的顶尖技术资源进行本地化落地的关键执行者,确保北方区的客户能够即时获得技术支持。

3.0 全系列产品生态:从SiC芯片到驱动方案的完整闭环

本次倾佳电子在北方区重点推广的,是基本半导体的“全系列产品” 。这不仅是一个宽泛的产品目录,更是一个深度集成、协同优化的SiC应用生态系统。

碳化硅(SiC)凭借其高压、高温、高频的卓越特性,正在取代传统硅(Si)基器件,但其应用难点也同样突出。SiC极快的开关速度(高dv/dt)使其对驱动电路的设计、杂散电感的控制提出了远超IGBT的挑战,米勒效应引发的寄生导通风险是困扰行业工程师的普遍难题 。

基本半导体的核心价值在于,它不仅提供高性能的SiC器件,更提供了一整套经过验证的、用于“驾驭”这些器件的驱动与控制解决方案,形成了从芯片到系统的完整闭环。该生态系统主要包含四大产品支柱:

3.1 支柱一:SiC分立器件 (器件基础)



基本半导体提供覆盖650V至1700V的SiC MOSFET和650V至2000V的SiC SBD(肖特基二极管)分立器件 。其产品采用TO-247, TO-263, TOLT, SOT-227等多种行业标准封装,满足不同功率等级和散热需求 。其第三代(B3M)SiC MOSFET产品,具有更优的品质因数(FOM, RDS(ON)​∗QG​)、更低的开关损耗和极高的一致性,非常适合多管并联应用 。

3.2 支柱二:工业级SiC功率模块 (应用核心)


这是北方区电力电子客户的核心需求所在。基本半导体Pcore™系列工业模块,采用行业主流的E1B、E2B、34mm和62mm等封装形式,为PCS、APF、高端焊机和充电模块提供了高功率密度的核心动力 。这些模块集成了下文详述的先进芯片技术和高可靠性封装工艺。

3.3 支柱三:车规级SiC功率模块 (可靠性标杆)


车规级模块是基本半导体的技术高地,其产品已广泛应用于国内外主流车企 。这些为严苛的汽车运行环境(高低温冲击、强振动)而开发的技术,被降维应用于工业模块中,确保了工业产品具备超标准的可靠性。

3.4 支柱四:集成电路与驱动解决方案 (生态闭环)

这是基本半导体区别于传统器件商的关键。为解决SiC的应用难题,基本半导体自主研发了完整的配套IC生态:

  • 隔离驱动芯片 (IC) :如BTD5350MCWR和BTD25350x系列,专为SiC MOSFET的驱动特性而优化,内置米勒钳位(Miller Clamp)功能,从芯片层面根除寄生导通风险 。
  • 驱动电源芯片 (IC) :如BTP1521x系列,为隔离驱动芯片提供高效、稳定、隔离的副边供电 1
  • 即插即用驱动板:如BSRD-2427(适配34mm模块)和BSRD-2503(适配62mm模块),这些驱动板是集成上述IC和变压器的完整解决方案,已经过全面测试和优化,可直接与功率模块配套使用 。

对于北方区的工程师而言,他们不再需要耗费数月时间调试SiC驱动电路,而是可以从倾佳电子获得“BMF540R12KA3模块 + BSRD-2503驱动板”这样一套经过完全验证的系统级方案,极大降低了研发风险和上市时间(Time-to-Market)。

4.0 深度解析:Basic Semiconductor 工业模块的核心技术优势

基本半导体的工业模块之所以能在性能和可靠性上实现行业领先,源于其在芯片技术、封装材料和电路设计三个层面的深度创新。


4.1 卓越性能:第三代 (Gen 3) 芯片技术

基本半导体的Pcore™系列工业模块(如34mm和62mm系列)已全面采用其第三代SiC MOSFET芯片技术 。这项技术带来了极低的导通损耗(高温RDS(on)​表现优异)和极低的开关损耗(Eon & Eoff)。

在严苛的800V母线电压、400A大电流、125°C高温下的双脉冲测试中,基本半导体的BMF240R12E2G3 (Pcore™ E2B) 模块,展现出了比肩甚至超越国际一线品牌的优异性能,尤其在关断损耗(Eoff)和总开关损耗(Etotal)方面表现出色 。对于追求极致效率的PCS和充电桩客户而言,更低的总损耗意味着更低的发热量、更小的散热器尺寸和更高的系统整机效率。

4.2 极致可靠:Si3​N4​ AMB 陶瓷基板与高温焊料

高可靠性是工业级(尤其是储能和风电)应用的生命线。基本半导体的高性能模块(如Pcore™ E1B/E2B, 62mm等)均战略性地采用了高性能氮化硅(Si3​N4​)AMB陶瓷基板和高温焊料 。

行业内一个普遍的误区是认为选择Si∗3N∗4仅为了导热,但数据显示氮化铝(AlN)的热导率(170 W/mK)远高于Si∗3N∗4(90 W/mK)。

基本半导体选择Si∗3N∗4的真正原因在于其卓越的机械可靠性

  1. 高机械强度:Si∗3N∗4的抗弯强度(700 N/mm2)是AlN(350 N/mm2)的两倍,更不易开裂 。
  2. 热膨胀系数(CTE)完美匹配:Si∗3N∗4的CTE (2.5 ppm/K) 与SiC芯片本身高度一致,远优于AlN (4.7 ppm/K) 和 Al2​O3​ (6.8 ppm/K) 。

对于北方区的风电和PCS客户而言,其设备工况并非恒定,而是处在频繁的功率循环(Power Cycling)中(如风力时大时小、储能昼夜充放)。这种循环会导致剧烈的温度变化,产生机械应力。AlN基板因CTE失配和材料较脆,在严苛的温度冲击测试后(1000次循环),会与铜箔发生分层剥离;而Si∗3N∗4基板则能保持完好的结合强度 1。因此,基本半导体的模块是真正为长寿命、高可靠性的严苛工业环境而设计的。

4.3 优化设计:内置SiC SBD的长期价值


基本半导体的Pcore™ E1B/E2B等系列模块在封装内部集成了SiC SBD(肖特基二极管)。

表面上看,这是一个简单的功能,用于在半桥续流期间提供更低的二极管压降(VF​ / VSD​),从而降低损耗 。但其背后隐藏着一个对设备长期可靠性至关重要的设计考量:防止双极性退化(Bipolar Degradation)

如果让SiC MOSFET自身的体二极管(Body Diode)长时间承载续流电流,其传导机制会导致晶格内部产生堆垛层错(Stacking Faults)。这种缺陷是不可逆的,它将导致MOSFET的沟道电阻,即RDS(on)​,随着使用时间的推移而永久性增大

测试数据清晰地揭示了这一风险:在普通MOSFET中,仅运行1000小时的体二极管导通后,其RDS(on)​波动高达42%;而集成了SiC SBD的基本半导体模块,由于续流电流绝大部分由SBD承担,MOSFET本身未发生退化,其RDS(on)​变化率低于3%

对于APF或PCS这种需要24/7全天候运行的设备而言,这意味着竞争对手的模块在运行一年后,其导通损耗可能已大幅增加,导致系统效率下降、发热剧增,甚至引发热失控。而基本半导体的模块则能确保在整个生命周期内保持“出厂即巅峰”的稳定低损耗性能,极大降低了客户的长期运维成本(TCO)。



5.0 应用聚焦:为北方区核心客户量身定制的SiC解决方案

倾佳电子西安办事处将利用基本半导体的技术优势,为北方区四大核心应用场景提供精准的产品方案。

5.1 储能变流器 (PCS) 与 风电变流器

应用需求:高功率密度、高转换效率、极高的长期运行可靠性、卓越的功率循环和热循环能力。

推荐方案

  • 100-150kW 工商业PCS:Pcore™ E2B系列 (如 BMF240R12E2G3) 是官方推荐的标准选型,兼顾性能与成本效益 。
  • 250kW及以上大功率PCS / 风电变流器:Pcore™2 62mm系列 (如 BMF540R12KA3) 是理想选择。这是一款1200V / 540A的大电流半桥模块 。

性能实证(风电应用) :风电变流器本质上是一种大功率电机驱动。基本半导体针对BMF540R12KA3(SiC模块)与业界主流的800A IGBT模块(FF800R12KE7)进行了详细的PLECS仿真对比 。在典型的300Arms电机驱动工况下:

  • 效率对比:在6kHz开关频率下,SiC方案的整机效率高达99.53% ,而IGBT方案仅为97.25%
  • 温度对比:SiC模块的最高结温仅为102.7°C,而IGBT则高达129.1°C。更低的结温意味着更低的故障率和更长的寿命 。
  • 出力对比:在相同的175°C结温限制下,SiC模块可稳定输出556.5 Arms的相电流,远超IGBT的446 Arms

5.2 电能质量 (APF)

应用需求:高开关频率(实现更快的谐波补偿响应),低开关损耗(APF设备需长期在线运行),高可靠性。

推荐方案:基本半导体的应用指南提供了清晰的选型路径 。

  • 75A APF: BMF011MR12E1G3 (Pcore™ E1B)
  • 100A APF: BMF008MR12E2G3 (Pcore™ E2B)
  • 150A APF: BMF240R12E2G3 (Pcore™ E2B)

技术优势:Pcore™ E1B/E2B系列凭借低开关损耗和内置SBD(消除反向恢复损耗)的特性,是帮助APF客户轻松实现99%以上整机效率的利器 。

5.3 充电桩电源模块 与 固态变压器 (SST)

应用需求:极高的开关频率(>100kHz甚至更高),以大幅缩小变压器、电感等磁性元件的体积和成本,从而实现极致的功率密度和成本控制。

推荐方案

  • Pcore™ E2B系列 (如 BMF240R12E2G3) 是专为“大功率快速充电桩”和“高频DCDC变换器”应用而设计的 1。固态变压器(SST)的核心即为高频DCDC变换,因此该系列是这两类客户的理想选择。
  • Pcore™ 34mm系列 (如 BMF80R12RA3) 适用于对体积和频率有更高要求的场合 。

性能实证(高频应用) :以高端焊机(拓扑与SST/充电桩类似)的仿真为例,基本半导体的BMF80R12RA3(34mm SiC模块)在80kHz的高开关频率下运行,其总损耗仅为321W;而传统高速IGBT为实现相同的20kW输出,频率只能运行在20kHz,总损耗却高达596W

结论:基本半导体的SiC模块能让充电桩和SST客户将开关频率提升4倍,而系统总损耗反而降低近一半。这一巨大优势是实现高功率密度电源模块小型化、轻量化和低成本化的关键。

基本半导体产品矩阵:北方区电力电子应用选型指南

目标应用 (Target Application)关键需求 (Key Requirement)推荐模块系列 (Recommended Module Series)推荐分立器件 (Recommended Discretes)推荐驱动方案 (Recommended Driver Solution)储能变流器 (PCS)高效率, 高可靠性, 卓越的热循环性能Pcore™ E2B (BMF240R12E2G3) Pcore™ 62mm (BMF540R12KA3) B3M020120H (20mΩ), B3M040120Z (40mΩ) BSRD-2503 (适配62mm) 1, BTD5350MCWR (驱动IC) 电能质量 (APF)低开关损耗, 高频 (>50kHz), 高可靠性Pcore™ E1B (BMF011MR12E1G3) , Pcore™ E2B (BMF008MR12E2G3) B3M040120Z (40mΩ) BTD5350MCWR (驱动IC) , BTP1521P (电源IC) 风电变流器Høy strømkapasitet (>500A), 极高可靠性, 低 RDS(on)​Pcore™ 62mm (BMF540R12KA3) (Modul-basert)BSRD-2503 (即插即用驱动板) 固态变压器 (SST)极高开关频率 (>100kHz), 低Eon/Eoff, 低杂散电感Pcore™ E2B (BMF240R12E2G3) B3M040065Z (650V/40mΩ) BTD25350x (双通道IC) 充电桩电源模块高频 (>100kHz), 高效率, 成本效益Pcore™ E2B (BMF240R12E2G3) , Pcore™ 34mm (BMF80R12RA3) B3M040120Z (40mΩ) , B3D10120H (SBD) BSRD-2427 (适配34mm) , BTD5350MCWR (驱动IC) 

6.0 结论:立足西安,开创未来——从“芯”到“系统”的本土承诺

倾佳电子西安办事处的成立,“应用级解决方案”服务模式的开启。

对于广阔的北方区市场而言,倾佳电子带来的不再是孤立的元器件参数表,而是携手基本半导体共同打造的一整套SiC生态系统:

  1. 享有最高可靠性背书的SiC模块:这些模块的核心技术历经车规和轨交市场的严苛验证 。
  2. 专为长寿命设计的封装技术:Si3​N4​ AMB基板确保了在功率循环工况下的超长机械寿命 。
  3. 保障长期稳定性能的芯片设计:内置SiC SBD从根本上杜绝了RDS(on)​的长期退化风险 。
  4. 彻底解决应用痛点的驱动方案:提供从IC到驱动板的完整闭环,帮助客户规避SiC驱动的设计陷阱,实现“交钥匙”工程 。

倾佳电子西安办事处将作为推广中心和快速交付中心,致力于为每一位电力电子创新者提供从“芯”到“系统”的本土化承诺,共同赋能中国能源转型的宏伟未来。

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