VD1012内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置MOSFET，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护IC。

    本IC适合于对1节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。


VD1012具备如下特点:高精度电压检测电路

过充电检测电压  4.30V 精度±50mV

过充电释放电压  4.15V 精度±70mV

过放电释放电压  3.00V 精度±100mV

过放电检测电压  2.80V 精度+100mV

各延迟时间由内部电路设置

过充电检测延迟时间   典型值100ms

过放电检测延迟时间   典型值100ms

放电过流检测延迟时间  典型值20ms


低耗电流

典型值1.5μA，(VDD=3.5V)典型值0.5μA，(VDD=2.0V)

工作模式过放电模式

允许向0V电池充电

宽工作温度范围:-40℃℃~+85°C

小型封装:SOT-353


典型原理图应用：

硬创社

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