TX41XX系列降压模块过传导辐射参考资料

置顶

精

活动

                过传导辐射参考资料
1.典型应用原理图 Vi=12-48V Vo=5V Io=0.6A

2.PCB 图 Vi=12-48V Vo=5V Io=0.6A

3. BOM 清单：Vi=12-48V Vo=5V Io=0.6A

4. EMI 测试数据
 Vi=12V Vo=5V Io=50mA

Vi=12V Vo=5V Io=100mA

 Vi=12V Vo=5V Io=0.5A

Vi=48V Vo=5V Io=50mA

Vi=48V Vo=5V Io=100mA

Vi=48V Vo=5V Io=0.5A

5.EMC 测试数据
Vi=12V Vo=5V Io=50mA

Vi=12V Vo=5V Io=100mA

Vi=12V Vo=5V Io=0.5A

Vi=48V Vo=5V Io=50mA

Vi=48V Vo=5V Io=100mA

Vi=48V Vo=5V Io=0.5A

6.过传导辐射注意事项。

1. 输入端要加差模电感，电感量不要低于 33uH。

2.续流二极管负极串磁珠，磁珠阻抗为 500R-1000R，最好是 1000R。

3.磁珠加电容吸收，续流二极管加 RC 吸收，R=10-20R，C=1-2.2nF。

4.输入差模电感和功率电感用屏蔽型电感。

 

5.在 Layout 时要注意控制大电流环路，环路越小越容易过传导辐射。

 

6.输出端加共模电感。电感量不要低于 33uH。

\n#电路设计与技巧#