动态调整电源芯片输出电压

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这个是前阵子红外触摸框上的部分电路图， 主要功能是通过调整LDO输出电压间接控制发射灯的输出功率 ，电路图如下：

可以看到， 电路通过八选一模拟开关SGM48751选择不同的分压电阻，从而达到让LDO的VCC_TLED输出不同的电压值，例如单片机控制管脚VCTRLA，VCTRLB，VCTRLC输出分别为000，那么将控制X0与通道X相连 ，SGM48751的真值表如下：

那么 此时LDO的反馈电阻分别为R106 = 64.9K 和R112 = 100K（对应到下图就是R1 = 64.9K，R2 = 100K） ，此时输出电压应该为2V左右。SGM2019的输出电压公式如下图所示：

那么以此类推，便可以通过控制VCTRLA，VCTRLB，VCTRLC为000~111这8种状态，来让LDO输出8种不同的电压值，从而达到调节发射灯功率的目的。这种调节输出电压的方式还是很值得学习借鉴的。

在某些场合，需要针对 SOC主频的不同，需要动态调整 SOC 的 Core Power。通过调整内核供电电压，实现SOC主频的调整。也可以使用MOS管去调整FB反馈电阻大小。

例如：

SSD210在Core Power=0.9V时，主频为800MHz。

在Core Power=1.0V时，主频为1GHz

但是无论主频软件设置 800MHz/1GHz，都需要 Core Power=1.0V 启动（SSD210）。

那么硬件电路如何设计调整内核供电呢？

电路图如下，采用Q15控制反馈电阻，上电时，Q15导通，此时反馈电压等于输出电压在50KΩ和75KΩ（100K并联300K）分压值，此时电路输出1V即提供内核启动电压。

当系统工作后，比如系统想要降低功耗，或者在高温情况下，需要动态调压，降低芯片主频以减少发热。只需要通过使用IO输出低电平，使Q15截止；那么，反馈电压等于输出电压在50KΩ与100KΩ分压值，便可调整Core的供电电压为0.9V，从而将SOC的主频降低为0.8MHz。

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