thinkplus充电头拆解

捡了一个坏的thinkplus充电头，拆解给大家看看。

这个充电头配置了两个Type-C口的输出和一个Type-A口输出。其中两个Type-C口最大支持65W输出，而Type-A口最大支持18W输出。

当然，从这里就能看出来，这两个Type-C口同时使用时，C1输出为45W，C2为20W，而如果三个口同时使用，最大输出也是60W而已。

二话不说开始拆解，既然本身就是损坏的，所以拆解比较简单。

里面灌充了灰色的硅橡胶。

去掉外壳一看，吆呵，这用料看着还可以啊，最起码外面实打实地包了铜箔用来屏蔽。

继续看看充电头电路部分。现在这种快充头，都是集成度非常高，一般为了把尺寸做小，内部空间基本全部填满了。这个thinkplus充电头自然也不例外，里面分三个板子，地板上焊接变压器，输入电解电容等等，同时也通过角焊固定了另外两个板子。

防护做得很到位，电路板和屏蔽铜皮之间还有聚酰亚胺耐高温胶带。

地板背面的Layout风格。

这是来自英诺赛科的700V耐压的GaN增强型功率晶体管，型号INN700D190B。

通俗来说，氮化镓MOS本质上还是MOS管，只是所用的材料不是传统的硅基，而是氮化镓，它的开关速度更快、导通电阻更低、同体积下耐压能力更高、开关频率更高。除了价格比较高，是传统硅基MOS的二到五倍，其他各方面几乎能全面碾压传统硅基MOS。

侧面角焊的这个板子主要完成了整流的工作。

输入电容采用了一个400V33uF，

以及另外两个400V27uF的电解电容，这种对尺寸和空间要求极其变态的应用中，为了放置更多的电容，甚至采用了两种不同尺寸规格，真是太难了。

这是管输出的子板，三个输出连接器都立焊在这个板子上，另外这个板子上还有协议芯片、开关MOS管，以及输出电容。其中输出电容采用了两颗220uF25V的电解电容；以及一个100uF25V的固态电容。