二极管的反向恢复时间对EMI的影响
二极管的反向恢复时间对电磁干扰(EMI)的产生和抑制有显著影响,尤其在开关电源、汽车电子(如LF天线驱动电路)或消费电子充电器等高频开关电路中。反向恢复时间是指二极管从正向导通状态切换到反向截止状态时,内部存储的少数载流子(电荷)被清扫所需的时间。分为两个阶段:反向电流上升时间(从零到峰值反向电流),反向电流衰减时间。 反向恢复时间通过以下机制影响EMI,主要集中在开关电源的高频开关过程中,二极管在反向恢复期间,反向恢复电流(IRR)会迅速变化,产生尖峰电流。在开关电源中,反向恢复电流会通过变压器、PCB走线和寄生电感耦合,形成高频传导干扰。高di/dt导致的尖峰电流含有丰富的高频分量,几十MHz至几百MHz,直接增加传导干扰,尤其在0.15-30MHz范围(CISPR32/25标准测试范围)。