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如何把 "DWG" 格式的檔案直接導入嘉立創EDA (專業板)?
您好, 如果要導入 "DWG" 格式的檔案作外框, 但看過您們的教程, 我見不到有相關指示, 請問如何能把 "DWG" 格式的檔案直接導入嘉立創EDA (專業板) ? 謝謝.
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开源项目：MROS-QCV机器人\n\n简介：自带小主机的模块化的车车\n\n开源链接：[https://oshwhub.com/zzron/micro-ros-robot]\n#DIY设计#
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研究报告：基本半导体BMF540R12MZA3半桥ED3封装SiC碳化硅MOSFET功率模块在1500V ANPC架构集中式储能PCS中的技术经济价值分析——全面替代进口IGBT模块的战略收益执行摘要在全球能源结构向可再生能源转型的宏大背景下，储能系统（BESS）作为电网的“调节器”和“稳定器”，其战略地位日益凸显。随着储能电站单体规模迈向吉瓦时（GWh）级别，为了降低平准化度电成本（LCOS），系统直流侧电压从1000V向1500V升级已成为不可逆转的行业趋势。在这一电压等级下，功率转换系统（PCS）作为连接电池堆与交流电网的核心枢纽，其拓扑架构与核心功率器件的选择直接决定了整个储能电站的能效、可靠性与投资回报率。倾佳电子从半导体物理、电路拓扑、热力学及工程经济学等多个维度，深度剖析在三电平有源中点钳位（ANPC）拓扑架构的集中式储能PCS中，采用基本半导体（Basic Semiconductor）的第三代碳化硅（SiC）MOSFET模块BMF540R12MZA3，全面替代传统的进口硅基IGBT模块（以富士电机FF800XNE-120和英飞凌FF900R12ME7为典型代表）所带来的多维价值。分析显示，尽管BMF540R12MZA3的标称电流（540A）低于传统的800A/900A IGBT模块，但得益于碳化硅材料宽禁带特性带来的极低开关损耗与无拖尾电流特性，其在高频开关条件下（fsw​>10 kHz）的实际有效输出功率能力反超传统IGBT模块。更为关键的是，该替代方案不仅能为系统集成商带来无源器件体积减半、功率密度提升及供应链自主可控的战略优势，更能为电站业主在全生命周期内通过提升往返效率（RTE）、延长设备寿命及增加套利收入，实现显著的财务增益。本报告将通过详实的数据对比与模型测算，论证这一技术路线更迭的必然性与紧迫性。1. 行业背景与技术范式转移1.1 1500V储能系统的技术必然性随着光伏与风电装机量的激增，电网对储能系统的容量需求呈现指数级增长。为了在不显著增加电缆铜耗和系统造价的前提下提升功率传输能力，储能直流侧电压等级由1000V提升至1500V已成为行业共识。根据欧姆定律与功率公式，电压提升50%意味着在同等功率下电流可降低33%，进而使线路损耗（I2R）降低约55%。然而，这一电压等级的跃升对PCS内部功率半导体的耐压能力提出了严峻挑战。在两电平拓扑中，1500V母线电压要求开关器件具备至少2000V甚至3300V的阻断电压，以应对宇宙射线导致的单粒子烧毁风险及开关过程中的电压尖峰。然而，高压硅基IGBT模块（如3300V器件）不仅成本高昂，且开关损耗巨大，导致系统开关频率被迫限制在数百赫兹至1kHz左右，这直接导致输出滤波器体积庞大，系统动态响应迟缓，无法满足现代电网对快速频率响应（FCR）的严苛要求 。1.2 ANPC拓扑：1500V时代的黄金架构为了规避高压器件的性能短板，三电平有源中点钳位（Active Neutral Point Clamped, ANPC）拓扑应运而生并迅速占据主导地位。ANPC架构通过在直流母线中点引入有源开关管，巧妙地将母线电压一分为二，使得每个开关位置仅需承受一半的母线电压（即750V）。这一特性使得技术成熟、供应链完善且性能优异的1200V耐压等级器件得以继续沿用，从而在成本与性能之间找到了最佳平衡点 。相较于传统的二极管钳位（NPC）拓扑，ANPC利用有源开关（MOSFET或IGBT）替代了钳位二极管。这一改变虽然增加了控制复杂度，却带来了两大决定性优势：损耗分布均衡化：通过特定的调制策略（如SVPWM或DPWM），控制器可以灵活选择电流路径，将导通损耗和开关损耗在内外管之间进行动态分配，避免了NPC拓扑中部分器件过热而限制整体容量的“短板效应” 。双向流动的高效性：储能PCS本质上是双向变流器（整流充电与逆变放电）。ANPC架构中的有源开关能够支持全功率因数范围内的双向能量流动，且在整流模式下依然保持极高的可控性与效率 。在此架构下，核心功率器件的选择成为系统性能的决定性变量。传统方案普遍采用大电流（800A-900A）的硅基IGBT模块，如富士FF800XNE-120或英飞凌FF900R12ME7。然而，硅基器件固有的物理局限性（即双极器件的少子存储效应）导致其在关断时存在严重的拖尾电流，这使得其开关频率通常被限制在2kHz-4kHz。若强行提升频率，开关损耗将呈线性暴增，导致结温失控。基本半导体推出的BMF540R12MZA3碳化硅MOSFET模块，正是为了突破这一物理瓶颈而来。SiC作为第三代宽禁带半导体，其单极性导电机制彻底消除了拖尾电流，使得开关损耗降低80%以上，从而允许PCS在16kHz-40kHz的超高频下运行，同时保持极低的温升。这种“以快打慢”的技术降维打击，正是本报告分析的核心逻辑起点 。2. 核心器件深度对标：物理特性与电气性能要量化BMF540R12MZA3替代进口IGBT的价值，必须首先深入微观物理层面，对比三款器件的硬核参数及其背后的物理机制。2.1 关键参数横向对比下表汇总了基本半导体BMF540R12MZA3与两款主流进口IGBT模块的关键技术指标。数据来源于各厂家技术规格书及用户提供的实测报告。参数指标基本半导体 BMF540R12MZA3富士电机 2MBI800XNE120-50英飞凌 FF900R12ME7器件类型SiC MOSFET (Pcore™2 ED3)Si IGBT (7th Gen X-Series)Si IGBT (TRENCHSTOP™ 7)额定电压 (VDSS​/VCES​)1200 V1200 V1200 V标称电流 (ID​/IC​)540 A (Tc​=90∘C)800 A (Tc​=125∘C)900 A (Tc​=90∘C)封装形式ED3 (兼容EconoDUAL™)M285 (标准62mm)EconoDUAL™ 3导通特性 (25∘C)RDS(on)​≈2.2mΩ (电阻性)VCE(sat)​≈1.45V (拐点电压)VCE(sat)​≈1.50V (拐点电压)导通特性 (175∘C)RDS(on)​≈3.8mΩVCE(sat)​≈1.95VVCE(sat)​≈1.65V开关损耗 (Eon​+Eoff​)~36.27 mJ (540A, 600V) 6~109.5 mJ (800A, 600V)~178 mJ (900A, 600V)反向恢复电荷 (Qrr​)~1.74 μC (极低)高 (取决于FWD特性)65 - 171 μC绝缘基板材料Si3​N4​ AMB (氮化硅活性钎焊)通常为 Al2​O3​ DCB通常为 Al2​O3​ (可选AlN)最大工作结温 (Tvj,op​)175°C (连续运行)175°C175°C2.2 “电流悖论”解析：为何540A SiC能替代900A IGBT？从数据表表面看，用540A的SiC模块去替代900A的IGBT似乎是“小马拉大车”，这在传统工程选型中是反直觉的。然而，在电力电子工程中，器件的**标称电流（Nominal Current）仅代表其在直流或低频条件下的最大散热能力限制，而可用输出电流（Usable Output Current）**才是决定PCS实际功率能力的关键指标。可用输出电流受限于开关频率下的总损耗与散热器的热阻。IGBT的频率-电流降额陷阱：IGBT作为双极器件，在关断过程中，漂移区积聚的高浓度少数载流子（空穴）无法通过电场快速抽取，只能依靠复合过程消失。这一物理过程产生了明显的“拖尾电流”（Tail Current），导致在电压已经上升的情况下电流依然存在，从而产生巨大的关断损耗（Eoff​）。随着开关频率的提升，单位时间内的开关次数增加，开关损耗在总损耗中的占比迅速攀升。为了保证结温不超标（通常预留25°C裕量，即控制在150°C以内），必须大幅度降低流过器件的电流 。在3 kHz时，900A的FF900R12ME7可能允许输出700A有效值电流。一旦频率提升至16 kHz，由于开关损耗占据了绝大部分热预算，其可用输出电流可能断崖式下跌至300A以下 。SiC MOSFET的宽频带优势：BMF540R12MZA3作为单极器件，没有少子存储效应，其关断过程仅受限于极间电容的充放电速度，速度极快且无拖尾电流。实测数据显示，其关断损耗仅为同等级IGBT的1/5甚至更低 。这意味着随着频率的提升，SiC模块的损耗增加极其缓慢。仿真表明，在16 kHz以上的工作频率下，540A的SiC模块由于开关损耗极低，其总损耗反而低于900A的IGBT，因此能够输出比900A IGBT更大的实际负载电流。这就是“以小博大”的物理学基础——在高频战场，速度即是容量 。2.3 导通特性的本质差异：电阻性 vs. 拐点电压储能PCS并非时刻处于满载状态，其运行工况涵盖了削峰填谷（满载）、调频（部分负载）及备用（轻载）等多种模式。器件在部分负载下的效率表现至关重要。IGBT的“门槛”： IGBT具有类似二极管的导通特性，存在一个固有的VCE(sat)​拐点电压（通常在0.8V-1.2V）。即使电流非常小（例如50A），其压降也不会低于这个门槛，这意味着在轻载下存在固定的基础导通损耗 。SiC MOSFET的“线性”： BMF540呈现纯电阻特性（RDS(on)​）。在部分负载下（例如200A），其导通压降遵循欧姆定律：VDS​=200A×2.2mΩ=0.44V。这一数值远低于IGBT在同样电流下的压降（约1.0V-1.2V）。结论： 在储能系统最常运行的半载和轻载区间，BMF540R12MZA3不仅开关损耗低，连导通损耗也显著低于大电流IGBT。这直接转化为PCS在全功率范围内的加权效率（如欧洲效率或加州CEC效率）的大幅提升 。3. 拓扑与系统集成：BMF540在ANPC中的应用策略将BMF540R12MZA3引入ANPC架构，并非简单的“引脚对引脚”替换，而是涉及驱动设计、换流回路优化及热设计的系统工程。3.1 换流回路与寄生电感的敏感性在三电平ANPC拓扑中，换流回路（Commutation Loop）随着输出电压极性和电流方向的变化而在长短回路间切换。SiC MOSFET极高的开关速度（dv/dt>50kV/μs）使得系统对寄生电感（Lσ​）异常敏感。电压过冲风险： 根据公式 Vovershoot​=Lσ​×di/dt，极高的电流变化率会在极小的杂散电感上感应出巨大的电压尖峰。这可能导致器件击穿或长期的绝缘老化。基本半导体的应对： BMF540采用的ED3封装（工业标准封装）在内部布局上进行了低感优化。更重要的是，在ANPC中应用SiC MOSFET，可以显著降低反向恢复电流峰值（Irrm​）。在传统IGBT方案中，二极管的反向恢复电流是大电流di/dt的主要来源之一。SiC MOSFET体二极管极其优异的反向恢复特性（Qrr​仅1.74 μC），从源头上抑制了换流过程中的电流冲击和振荡，从而降低了电压过冲和EMI干扰 。3.2 米勒效应的抑制与驱动优化与IGBT相比，SiC MOSFET的栅极阈值电压（VGS(th)​）较低，通常在2.3V-2.7V之间（IGBT通常为5.5V左右），且随温度升高而降低 6。在ANPC桥臂中，当一个开关管高速导通时，产生的dv/dt会通过米勒电容（Cgd​）耦合到互补开关管的栅极，导致误导通（Shoot-through），引发短路风险。驱动方案升级： 使用BMF540必须配合具备**有源米勒钳位（Active Miller Clamp）**功能的驱动器。基本半导体推荐的配套驱动方案（如青铜剑2CP系列）集成了此功能。当监测到栅极电压低于预设值（如2V）时，驱动器会通过一个低阻抗路径将栅极强拉至负压轨，物理上阻断米勒电流抬升栅压的路径。这是IGBT驱动设计中往往被忽略，但在SiC应用中必须强制实施的关键措施 。3.3 全SiC ANPC架构的优势虽然市场上存在“外管IGBT+内管SiC”的混合ANPC方案，但全面采用BMF540R12MZA3构建**全SiC ANPC（All-SiC ANPC）**具有独特的系统级优势：控制策略灵活性： 在全SiC架构下，无需为了顾及慢速IGBT而限制特定的调制模式。系统可以根据实时工况，在不同的PWM策略间无缝切换，以实现损耗的最优动态分配，确保所有器件寿命的一致性 。热设计归一化： 混合架构会导致散热器上出现明显的“冷热不均”——SiC芯片很冷，而IGBT芯片很热，这给散热器设计带来了局部热点挑战。全SiC方案则能实现热量的均匀分布，极大简化散热系统的仿真与设计复杂度 。4. PCS制造商价值分析：BOM成本重构与产品竞争力对于PCS制造商而言，采购成本不仅仅是功率模块的单价，而是整个系统的物料清单（BOM）总成本。BMF540R12MZA3的引入，实际上是一次通过半导体技术升级来压缩无源器件成本的“降本增效”行动。4.1 无源器件的“瘦身”革命PCS输出侧的LCL滤波器体积和成本主要取决于开关频率。电感量L与开关频率fsw​成反比。磁性元件成本减半： 传统IGBT方案受限于3-4 kHz频率，需要硕大的电抗器，消耗大量铜材和硅钢片。采用BMF540将频率提升至20-40 kHz后，滤波电感量可降低60%-80%。这直接导致电抗器体积缩小，铜材用量大幅减少。在铜价高企的当下，这一节省的材料成本（铜材约8−10/kg）往往能完全抵消SiC模块相对于IGBT模块的溢价 。电容技术升级： 高频化显著降低了纹波电流，使得集成商可以用体积更小、寿命更长、可靠性更高的薄膜电容替代庞大且易老化的电解电容。这不仅节省了空间，还消除了系统中最短板的寿命限制因素 。4.2 热管理的极致优化与功率密度提升BMF540R12MZA3采用了先进的氮化硅（Si3​N4​）AMB基板技术 。材料学优势： 相比于进口IGBT模块普遍使用的氧化铝（Al2​O3​）DCB基板，Si3​N4​的热导率高达90 W/mK（是Al2​O3​的3倍以上），抗弯强度超过700 MPa（是Al2​O3​的2倍）。这意味着热量能更极速地从芯片传导至散热器，且基板不易在热胀冷缩应力下断裂 6。系统减重： 由于SiC模块总损耗降低了约40%-50%，且基板散热效率更高，PCS所需的散热器体积和重量可减少30%以上。风冷系统可以采用功率更低的风扇，不仅降低了自耗电，还降低了噪音；对于液冷系统，则可以减小冷却液流量和泵的功率。集装箱利用率： 更小的滤波器和散热器意味着更高的体积功率密度（kW/m3） 。在寸土寸金的储能集装箱内，这意味着在同样的20尺柜中可以集成更大功率的PCS，或者留出更多空间给电池包，从而提升单舱能量密度 。4.3 供应链安全与国产化战略在当前复杂的国际地缘政治环境下，核心功率半导体的供应链安全已成为企业生存的基石。依赖进口IGBT（富士、英飞凌）不仅面临货期风险，还可能遭受汇率波动和贸易限制的冲击。自主可控： 基本半导体作为国产碳化硅领军企业，拥有自主的芯片设计与封装能力，能够提供更短的交货周期（Lead Time）和更快速的本地化技术响应。平滑升级： BMF540采用的ED3封装在机械尺寸和安装孔位上兼容主流的EconoDUAL™标准，使得集成商无需对现有结构件进行大改，即可实现“原位替换”（Drop-in Replacement），极大地降低了研发迁移成本 。5. 业主价值分析：LCOS优化与全生命周期收益对于储能电站的投资方（IPP）和运营方而言，他们更关注的是财务报表中的核心指标：平准化度电成本（LCOS）和内部收益率（IRR）。BMF540R12MZA3带来的价值通过“效率乘数效应”被放大。5.1 效率提升带来的直接营收增长PCS的效率直接影响储能系统的往返效率（Round-Trip Efficiency, RTE） 。由于储能系统涉及“充电-放电”两个过程，PCS效率的任何微小提升都会在RTE中被计算两次（RTE≈ηPCS_charge​×ηbattery​×ηPCS_discharge​）。仿真数据支撑： 仿真显示，在同等工况下，BMF540方案的PCS效率可达99.3%以上，而IGBT方案通常在98.6%左右。这0.7%的单程效率差，意味着RTE提升约1.4% 。财务模型测算： 以一个100 MWh的大型储能电站为例，假设其主要通过峰谷套利盈利，每天充放电一次（365次/年），峰谷价差假设为0.7元/kWh（约$100/MWh）：年吞吐电量： 100 MWh×365=36,500 MWh。年节约电量： 36,500 MWh×1.4%≈511 MWh。年增收： 511,000 kWh×0.7 元/kWh≈35.77 万元人民币。20年全周期收益： 在不考虑电价上涨的情况下，仅效率提升一项即可为业主带来超过 700万元人民币 的额外纯利润。这还未计算因效率提升而减少的空调/液冷系统能耗成本 。5.2 电池延寿与可用容量增益热是锂电池寿命的头号杀手。PCS效率的提升直接意味着废热产生的减少。环境控制： 更少的PCS发热量降低了集装箱内的环境温度压力，使得空调系统更容易维持电池的最佳工作温度（25°C）。研究表明，电池运行温度每降低1°C，循环寿命可延长数个百分点。容量保持： 由于损耗减少，在相同的电网取电量下，充入电池的实际能量更多；在相同的电池放电量下，送入电网的能量更多。这实际上等同于增加了电池系统的“可用容量”（Demonstrated Capacity）。业主在参与电力市场辅助服务竞价时，可以更有底气地申报更高的可用容量，从而获取更高的容量电费收益 。5.3 极致可靠性带来的运维降本（OpEx）储能电站通常需要运行15-20年，期间PCS的可靠性直接关系到项目的运维成本和停机损失。Si3​N4​ AMB基板的抗疲劳特性： 储能应用尤其是调频应用，负载波动剧烈，功率器件承受着频繁的功率循环（Power Cycling）。传统Al2​O3​基板由于与铜的各种热膨胀系数（CTE）差异，容易在数万次循环后发生铜层剥离或陶瓷开裂。而BMF540采用的Si3​N4​ AMB基板，其耐热冲击能力是传统基板的50倍以上，可承受超过100,000次以上的严苛功率循环而不失效 。减少停机损失： 对于百兆瓦级电站，PCS故障导致的停机不仅产生维修费用，更会面临电网考核罚款和套利机会损失。SiC模块的高可靠性直接降低了全生命周期的故障率，保障了资产的高利用率 。6. 结论基本半导体BMF540R12MZA3碳化硅MOSFET模块在1500V ANPC储能PCS中的应用，绝非简单的元器件国产化替代，而是一场深刻的技术升级。它成功解决了传统IGBT在1500V高压与高频开关之间不可调和的矛盾，利用SiC材料的物理优势和Si3​N4​ AMB封装工艺的可靠性优势，为储能产业链上下游创造了显著的增量价值。对于PCS制造商，它意味着更紧凑的产品体积、更低的物料（铜/磁材）成本和更安全的供应链；对于业主，它意味着更高的度电收益、更长的资产寿命和更低的运维风险。随着碳化硅成本的进一步优化，BMF540R12MZA3全面取代进口IGBT，将是储能行业迈向高效、高密度、高可靠发展的必由之路。
SiC碳化硅MOSFET功率模块在1500V ANPC架构集中式储能PCS中的技术经济价值分析
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开源项目：AI智能相框\n\n简介：AI智能语音相框，集成小智AI。以简单易用为核心设计理念，通过显示、对话、提醒等功能，帮助老年人便捷获取信息、维系亲情互动，缓解孤独感，提升生活安全感！\n\n开源链接：[https://oshwhub.com/yc_chen/ai-smart-photo-frame]\n#ESP8266/32# #星火计划2025# #消费电子#
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6 已过期
专业版和标准版同一个元件搜索，一个显示一个没有。想问下这个怎么回事？ #嘉立创PCB#  专业版和标准版同一个元件搜索，一个显示一个没有。例如搜索降压模块 YEC SD200 。在标准版里，能很准确的显示出来，并能详细的列出库别类型，而专业版就显示的很笼统，没有显示我想要找的元件。不是因为元件库老旧没有查询到，更换LM2596降压电源模块同样发现这样的问题。这是我不会使用还是其他问题，希望大家能帮忙解决一下谢谢!!!!专业版显示笼统，且不能准确显示需要元件标准版显示简单明了，搜索很准确
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因为反贴的元件都有个开孔，想问下是否需要额外收费
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LED屏幕界的大佬们！ 有谁可以定做这种LED播放器呢？价格好商量!
主要用于海报屏！ 体积小 分辨率2k左右
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别人画的原理图，现在不太符合我的操作习惯，我不太会设置。他的原理图按下一个网络会直接把所有这个网络的标签和导线全部选择，我的个人习惯是点击哪一个就选中哪一个。麻烦帮我找找如何设置谢谢了。@嘉立创EDA小吴
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实战派不亮
嘉立创实战派esp32s3，环境是esp32idf v5.3.1 使用的参考文档14掌机，按理说是没有改任何配置 图一是应该是编译，有vscode任务警告但是没有报错 图二监视模式的反馈，有个红色的error e（2056）i2c：conflitct driver_ng is not allowed to be used with this old driver 实战派本体不亮，报错驱动太老了 图三进行了配置更改，报错不变 求求大佬们了
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删除原理图如何恢复？请指点！
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立创EDA出现“封装 C0603 没有内容”
怎么会这样
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软件卸载重装后打不开了。第一次下d盘了，结果激活的时候打不开，一直说找不到文件。于是卸载重装到默认路径，死活打不开。删了重装好几次了，还是打不开
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3.2.65怎么放个VCC，会多一个网络出来，删都删不掉，
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拼版时列距不能调整
#嘉立创EDA专业版#
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JLCEDA面板设计如何做半透明？
由于很多小伙伴使用EDA绘制面板时，不知道怎么设置半透明，所以特意说明下EDA的设置方法： 关于文字的半透明设置：把打印层的文字选中后右键->重复到原位置，然后将最上层的设置为透明控制层，将透明度修改为（0%,100%）即可。 如果是显示窗口，为了避免透光度不够有影响，尽量设置透一些比较好。如黑色和红色的半透明，透明控制层设置为（10%，100%）。 特殊：白色半透明就不能将白底遮盖去掉，白色是靠遮盖层打印出来的，白色半透明设置为（0%,85%）最好。 可参照下面色卡，下单时备注赠送能免费获得EDA色卡一张。 ##立创面板设计# ##EDA面板设计#
面板定制
原理图DRC出现“未定义 连接了类型”的警告
更新到v3.2.58版本，原理图DRC，多了一堆警告，什么原因，如何消除这个“未定义 连接了类型”的警告。 还有放置基础库的SS34二极管，提示没有内容。 还有现在的原理图编辑很卡
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有随身 wifi 开发版卖吗
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