NMOS（DMG3414U） Gate-Source Voltage(VGSS)范围：±8V Continuous Drain Curren(Id)=4.2A(25℃) Gate Threshold Voltage(VGS(TH))=0.5~0.9V 1.在常温下，4.2A的Id对应VGS大概是1.3V，是不是说，VGS要钳位到1.3V,才可以获得持续的漏电流4.2A. 2.如果在常温下，NMOS用于高边，漏极连接5V电源，希望获得持续向下的电流4.2A，VGS是不是必须要钳位到1.3V? 3.同时，VG=5V+1.3V=6.3V，即从栅极输入的脉冲波高电位需要6.3V？ 4.如果VGS钳位到1.5V,Id大概是10A，NMOS真的有提供10A的电流能力？ 5.如果希望向电机提供2A的电流，即Id=2A,栅极驱动IC灌拉电流也能满足2A，对应的VGS=1.2V，VG=VGS+VCC=1.2+5=6.2V，那么输入的方波也必须要调整高电位到6.2V吗？