#中秋月圆社区团圆# 许多工程师都会在靠近数字电路IC处放一个0.1uF或0.01uF的电容来对IC进行去耦，我认为需要理解去耦不是放置一个电容来提供瞬态电流的过程，而是靠近IC放一个LC网络来提供瞬态电流。 L的主要来源于电容本身ESL、PCB走线及过孔、IC内部的导线结构。多层陶瓷电容的ESL极小往往只有几nH，而插件式封装的电感却可能达到十几nH。SMT封装的IC内部电感量通常也只有2nH左右，而PCB走线和过孔却能达到5-20nH，甚至更多。所以PCB走线极为重要，走线应尽可能地短，使环路面积最小。 因为L的存在，去耦网络会在一些频率点发生谐振，对于30nH的电感，0.1uF去耦电容的谐振频率在3MHz，高于谐振频率时，网络呈感性，阻抗随频率增大，此时去耦电容作用大大降低。 下图是0805封装去耦电容安装结构的电感。将有着相反方向电流的过孔靠近放置会因互耦合的原因减小电感，这也是下图中边导通孔比端导通孔有更小电感的原因。