NMOS的正反接发热
NMOS的栅极接高电平时，电流从D流向S，但是发热情况比直接反接，即从S进D出发热要严重，也就是说寄生二极管的压降比导通压降要小，但是栅极电压远大于导通电压，而且数据手册里面得导通电阻很小，理论上应该是压降更小才对，这是什么原因
硬创社
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momo
2024-10-09 10:29:07 来自广东
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NMOS作为开关使用时，栅极电压需要比电源电压高几伏才能完全导通，电压不足MOS管无法完全打开，会导致压降增大，功率消耗增加，从而发热严重
w不溜 作者
2024-10-14 09:59:50 来自湖南
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是的，我负载位置接错了
BMS
2024-10-26 09:01:39 来自江苏
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要注意栅极和源极之间的实际电压差，做理想二极管的话负载接在源极，源极电压会变化，源极电压的变化会影响到栅极和源极之间的电压差。举个例子比如栅极电压4V，源极接了负载之后变成1.5V了，栅极和源极之间的电压差就是2.5V，就会严重发热
mzham
2024-10-10 13:18:30 来自广东
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好奇怪的问题，难道不应该 和同类管子比较吗？怎么要和自己的反向来比呢？
w不溜 作者
2024-10-14 10:00:44 来自湖南
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因为我在弄理想二极管
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