换了芯片厂家推荐的二极管 还是不行

那你要检查驱动死区时间是不是合适,电压越高,功率管开关前后沿时间越长

NCP51820的数据手册上说了二极管的额定反向电压要大于VIN电压，根据你的使用环境二极管的反向耐压值要大于600V。 The bootstrap diode, DBST, needs to have a voltage rating greater than VIN, should be high−speed (low reverse recovery), should be low current and should have very low junction capacitance.

好 死区时间调整后我在看看效果

感觉不太像 电源300V就挂了

是的是的。如果不调整栅极驱动电阻的话，输出信号的过冲可以达到2倍的电源电压。不过R8、C18、R15、C23在调试时没加上去，不清楚是否还会因为分布电感产生如此高的过压。耐压的话，我在找找耐压更高的管子看看。还有情况是，管子不坏，电源进入过载保护，从原理上想不通。不过使用的高压电源的功率比较小，几百伏的电压，输出也就十几个mA。开始的时候一直在认为高压下瞬间电流过大导致的，但是实际又不怎么消耗功率。所以这种高压快速关断的情况下，对电源有什么影响吗？

在我看来，这个电源过载保护因为是瞬时发生的，一过载电路自己就立即保护了，这种瞬时功率过量的效果是很难以感觉到的吧！但是它就能起到保护的作用了。根子还是在于MOS管被瞬时击穿。而MOS管并不像BJT管那样有二次击穿，BJT管一旦二次击穿了击穿点马上就被熔化造成所以看来它还是有一定的抗过载的能力？

造成不可逆的失效了。而MOS管在“击穿”的瞬时过流，因为它的正温度效应，随着温度的升高电阻就跟着增大，还不一定能让它马上熔接，既然电源有过载保护切断继续保持工作的功能，这样就有可能得到跟BJT管不同的结果了。

你说对电源有什么影响，我看还是因为这样让MOS管受到了过载的冲击，会使得它的性能有一定程度的劣化降低了可靠性吧！

早知道就买这个驱动芯片对应的开发板了。[晕] NCP51820有两款开发板，分别用了两款650V的GaN,GS66508B和 PGA26E07BA 自己设计的就不行，就因为我使用的是国产几块钱一颗的GaN[衰] 比不过100多块钱的进口的？ 要么PCB设计不行？话说PCB也是参考开发板的[衰] 换更高耐压的管子，驱动芯片什么都得变 得从头再来一遍[衰]

稳了稳了 是我的问题 在板子输入电源口和高压电源之间没有加电容（2颗100NF/630v 一颗150uf/570v） 加了之后 就稳了

所以也别一出问题就怪芯片是否是国产的。考验自己的还是技术水平的问题。即使遇到挫折，也是很正常的，看解决了问题现在自己的水平就提高了。就是用了质量低档点的元器件也能设计出完美的产品，才是水平真的不错啊！

赞同！