使用10uF和100nF并联进行电源去耦,电容器自身的频率特性可以覆盖常规工作频率和功率的小功率芯片场合, 如果有很高或很低频率范围的电路去耦,则需要使用更大和更小容量的电容器并联. 电源去耦电路本身对频率特性要求不严格,或许起先大伙习惯性的喜欢使用整数值的容量值.后来越用越多,这种容量的产量也就大,更容易采购,价格也实惠.长此以往就形成经验值. 假如真的较真去计算理论值,就要考虑很多因素,比如电容器自身ESR参数,系统供电纹波噪声情况,系统需要对纹波和噪声抑制到何种程度,电路负载情况,PCB走线情况,等等.实际上往往花了大把时间去计算,反而跟实际情况不符,得不偿失,还不如按照经验值取大点余量来快速选型. .

一般也就是经验值放一下，一般电容的误差比较大，常用的误差±20%，电容值还和电压值有关系，一般应用都是多个电容值并接，才能够更好的滤波

有公式的，衰减大 容值小，

有就按照手册的，没有就按照经验值。

学习了

一样想问

10uF是储能减少KHz低频噪声、100nF是减少MHz高频噪声。

多看看**视频号 有讲解的

主控芯片的电源引脚吧 我理解是经验