#LTspice仿真##晶体管模拟电路#水贴刷分。LTspice可以仿真电晶体级别的积体电路吗？当然是可以的，软件自带标准双极型工艺的bipoloar和默认CMOS工艺，若需要更好的CMOS只需include，LTspice收敛性很好，合适的CMOS模型可以满足基础仿真需求。 如图50奈米 BSIM4 CMOS制程的五管OTA OPamp，txt文件模型里还包括了1um的Level 3 CMOS模型，越高级的制程使用更贴合的模型和包含更多的参数。这个PMOS输入的差分对差分增益约2.5，事实上奈米级制程下若没有cascode结构的电路增益都不大，模拟电路并不需要先进制程，不划算也无必要。 LTspice简单易用高性能，不是每个人都需要cadence ic或hspice。奈米制程下电晶体具有严重的厄利效应导致输出电阻过小，故OTA的尾电流管M5的长度L应为最小值50nm之2倍以上，以获取更大的共模电阻而提高CMRR，同时尾管驱动差分对两个发动机NMOS，故得有大电流驱动力，需要胖的管子，宽长比W/L大一些。M3M4为基本电流镜。