二极管的反向饱和电流Is是指在反向偏置条件下，当电压足够大但未达到击穿时，二极管中由于热激发的少数载流子产生的微小电流。对于硅二极管，Is通常在皮安到纳安级别，锗二极管则稍大。反向饱和电流随温度升高而显著增加，大约每升高10°C，Is翻倍。 反向偏置时，Is表现为二极管的漏电流。尽管数值很小，但在高精度电路，如传感器放大器、模拟信号处理电路中，这种漏电流可能导致误差积累，影响信号的准确性。 特别在高温环境下，反向漏电流的增大可能导致电路性能漂移，例如在整流器或稳压电路中，漏电流可能降低效率或影响输出稳定性。