Rdyn是瞬态抑制二极管（TVS diode）的一个关键参数，表示在TVS二极管处于反向击穿状态、导通大电流时的动态电阻。它反映了TVS二极管在高电流瞬态（如ESD、浪涌）下对电压变化的响应能力，直接影响其钳位性能。 Rdyn越小，TVS二极管在高电流瞬态下的钳位电压变化越小，保护能力越强。在高电流瞬态下，低Rdyn意味着TVS二极管能将电压钳位在更低的水平，保护后端器件如SPI接口芯片免受过压损害。低Rdyn的TVS二极管能更有效地吸收瞬态能量，适合高频、高速信号线保护。高Rdyn会导致钳位电压随电流增加而显著上升，可能超出受保护器件的耐压范围（如SPI接口的绝对最大电压）