理论上，一般认为击穿电压在4Eg/q=4.5V以下的是隧道效应引起的负温度系数的齐纳击穿，6Eg/q=6.7V以上则是正温度系数的雪崩击穿，Eg为硅的禁带宽度约为1.12eV，夹在中间的则两者皆有，这种物理机制提供人们可正可负的温度系数的选择。p1中使用恒压偏置测试不同电压的分立稳压管的温度系数，以及演示了分立/集成晶体管/稳压管做温度补偿的可能性。 早期做基准源，用晶体管负温度系数与雪崩稳压管正温度系数近似抵消，后来发现，两个不同电流密度的晶体管发射结电压差ΔVBE也具有正温度系数，工艺上的开销很小，于是ΔVBE代替了雪崩二极管，于是现代的带隙基准源诞生了。虽然早期做法不能做低电压基准，因为合适的稳压管至少也得5.6V以上，而且稳压管噪声可不小，但这并不意味着不能做出牛犇的器件，ADI的LTZ1000就是早期基准源的优秀代表，如图p2，一个晶体管发射结叠加一个6.2V的雪崩二极管，6.2V的雪崩二极管所具有的正温度系数近似与晶体管发射结负温度系数抵消，The LTZ1000 and LTZ1000A are ultra-stable temperature controllable references. They are designed to provide 7V outputs with temperature drifts of 0.05ppm/°C,about 1.2µVpp of noise and long-term stability of 2µV/√kHz，它具有优秀的令人发指的温漂和长期稳定性，并且使用了一些技术使其噪声很低(前面说话过稳压管噪声比较大)，再外接OPamp做反馈trim，OPamp做基准源偏置可以有效提高PSRR免除干扰，自带温度探测保持恒温加热，优秀的性能让它常用于高贵的8位半、地震监测仪等仪表上。#LTspice仿真# #晶体管模拟电路# p3，集成电路顶刊JSSCC在1973年的《A precision reference voltage source》是一篇很经典的带隙基准源文章，记录了当时的科学家如何获取性能更好的基准源，叠了8个晶体管做在一个硅片上，外接741 OPamp和若干电阻，就可以获得在当时性能相当炸裂的基准源，0-60℃输出变化不超过3mV。当代先进的器件不是理所当然的，而是前人科学探索一步步发展过来的，世上本不存在sop8的3ppm/℃的基准源